高通发布骁龙 8 Elite Gen 6 旗舰芯片,台积电 2nm 工艺,三星 LPDDR6 10.7Gbps 率先验证,小米 vivo OPPO 将采用 

微信扫一扫,分享到朋友圈

高通发布骁龙 8 Elite Gen 6 旗舰芯片,台积电 2nm 工艺,三星 LPDDR6 10.7Gbps 率先验证,小米 vivo OPPO 将采用 

9 月 23 日,高通正式宣布推出其迄今最强大的骁龙 8 Elite Extreme Gen 6 芯片,面向新一代旗舰终端。该芯片采用台积电 2 纳米制造工艺,专为设备端人工智能优化,将与苹果 iPhone 中的 A20 Pro 展开竞争。高通推出两个版本芯片,其中一款具备额外功能并带有 “Extreme” 品牌标识。该芯片将用于摩托罗拉、小米、中兴、vivo、红魔、REDMI、OPPO、一加等公司的旗舰智能手机。同日,三星电子宣布已率先在高通骁龙 8 Elite Extreme Gen 6 平台成功验证了 16GB LPDDR6 内存,其输入 / 输出(I/O)速度高达 10.7Gbps。三星表示,三星和高通自研发初期以来就紧密合作,这一成就证明其 LPDDR6 能够满足下一代移动平台的需求。

骁龙 8 Elite Gen 6 是高通第三代采用台积电 2nm 工艺的旗舰移动芯片,此前天玑 9600Pro 已发布首款台积电 2nm 移动 SoC(330 亿晶体管,2+3+3 全大核 4.55GHz),高通与联发科在 2nm 移动芯片市场展开激烈竞争。端侧 AI 是新一代旗舰芯片的核心卖点,骁龙 8 Elite Gen 6 在 AI 推理性能、能效比方面大幅提升,支持更复杂的端侧大模型运行。LPDDR6 是下一代移动内存标准,I/O 速度 10.7Gbps 相比 LPDDR5X 的 8.5Gbps 提升约 26%,将为端侧 AI 提供更高内存带宽。

核心看点:高通发布骁龙 8 Elite Extreme Gen 6 旗舰芯片,迄今最强大面向新一代旗舰终端,台积电 2nm 制造工艺专为设备端 AI 优化,与苹果 A20 Pro 竞争两个版本含 Extreme 标识,摩托罗拉小米中兴 vivo 红魔 REDMI OPPO 一加采用,三星率先验证 16GB LPDDR6 I/O 速度 10.7Gbps,三星高通研发初期紧密合作满足下一代移动平台需求,高通第三代台积电 2nm 旗舰移动芯片,联发科天玑 9600Pro 首款 2nm 移动 SoC 330 亿晶体管 4.55GHz,高通联发科 2nm 移动芯片激烈竞争,端侧 AI 核心卖点 AI 推理性能能效比大幅提升,支持复杂端侧大模型运行,LPDDR6 I/O 10.7Gbps 比 LPDDR5X 8.5Gbps+26%,为端侧 AI 提供更高内存带宽。

所有的伟大,都源于一个勇敢的开始!
上一篇

vivo X500 Pro系列首发天玑9600 Pro,深度共研4K120电影级视频

下一篇

长江存储在德国赢得对美光 NAND 专利诉讼禁令,慕尼黑法院发布两项禁令,或重塑欧洲 NAND 市场 

你也可能喜欢

评论已经被关闭。

插入图片
微信 微信
微信
返回顶部

微信扫一扫

微信扫一扫