存储这轮超级周期还能走多远？11月10日，集邦科技资深分析师Avril Wu在美国银行主办的网络直播中表示，存储价格上行周期有望维持至2027年，并在2028年避免进入下行阶段。但美国银行同场给出了明显更保守的价格预测，两大机构方向一致、幅度分歧，”存储还能涨多久”成为产业链当前最大的悬念。
两大机构预测：方向一致，幅度分歧
集邦的判断偏乐观：2026年第四季度DRAM和高带宽存储器（HBM）价格预计环比上涨10%至20%，NAND上涨8%至13%；到2027年，HBM价格可能上涨至当前的两倍以上，长期供应协议有助于降低2028年之后的价格波动。
美国银行总体认同看涨前景，但幅度明显收敛：该行预计四季度DRAM价格环比上涨8%、NAND仅上涨3%，2027年HBM涨幅将低于50%，并警告价格回调可能最早于2027年初出现。值得注意的是，即便按保守口径，美银预测全球存储行业收入仍将从2026年的9700亿美元升至2027年的1.47万亿美元、2028年的1.58万亿美元，创历史纪录。
涨价的现实基础确实扎实。美银证券调研显示，2026年三季度多数DRAM产品平均售价环比上涨20%至30%，NAND Flash涨幅超过15%；部分大型云服务商已提前签订采购协议，接受2027年一季度高于2026年四季度的DRAM采购价格。
HBM产能挤出效应，是分歧的关键
两大机构预测的差距，本质上是对HBM”产能挤出”持续性判断不同。业内分析指出，生产每比特HBM消耗的晶圆产能约为标准DRAM的三倍——芯片面积更大、堆叠工艺更复杂，良率损耗贯穿全程。
集邦数据量化了这一挤出程度：三大原厂HBM晶圆投片占DRAM总投片的比重，从2025年底的约18%升至2026年底的22%；而HBM位元供给占总DRAM位元供给的比例，同期仅从8%升至9%。近四分之一的晶圆被配置到只产出不到十分之一位元的产品上，通用DRAM的供给缺口因此难以靠需求放缓自然弥合。
企业级市场是本轮涨价的最前沿。集邦10月30日报告显示，北美客户积极追单，2026年四季度企业级SSD合约价续涨15%至20%；中国市场因GPU供应偏紧对报价有所抗拒，但价格”仍然续涨”。NAND侧分化更直观：据DRAMeXchange统计，10月通用型MLC NAND（128Gb）合约价环比持平，SLC NAND上涨5%至10%，消费级涨价动力减弱。铠侠最新财报亦提示，其NAND平均售价环比涨幅已从二季度约70%骤降至三季度约20%，NAND涨势可能在2027财年停止。
影响与展望
涨价沿着产业链不均匀地传导，模组厂首当其冲。十铨科技CEO陈庆文在11月业绩说明会上直言，”我们有合同，但无法获得足够的供应量”，被迫进入现货市场以更高价格补料。原厂配货先看客户等级与合约体量，中小模组厂难以拿到稳定的企业级货源，成本压力向下游转嫁尚需时间。
对2027年之后的走势，双方共享一个前提：只要AI基础设施投入不减、原厂产能持续向HBM倾斜，传统存储供给偏紧的格局就难以逆转，长期协议还能平滑原厂收入、压低2028年之后的价格波动。反过来看，若AI资本开支放缓或HBM需求不及预期，被挤出的通用DRAM产能重新释放，美银警告的2027年初回调就可能提前成真。
存储器已成为AI供应链中最具盈利潜力的一环，集邦与美银在”周期延续”上并无分歧，分歧只在幅度与时点。2027年将是验证窗口：HBM价格能否翻倍、NAND涨势是否如铠侠所言停下，都会在这一年见分晓。
信息来源：财联社、蓝鲸科技、中国金融新闻网
