10 月 10-11 日，长鑫科技 4F² 架构技术突破持续发酵。据第一财经、每日经济新闻和凤凰网报道，长鑫存储总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上正式官宣 4F² DRAM 架构技术突破，预计今年年底将推出融合先进技术的新一代 DDR5 RDIMM 产品。4F² 架构将 DRAM 单元面积从传统 6F²/8F² 缩小约 33-50%，显著提升存储密度和晶圆产出。
长鑫存储此前已量产 G5 第五代 DRAM 平台，DUV 四重曝光 11.95nm 有源区半间距，电容深宽比 45:1，单片晶圆产出 + 50%，24GB LPDDR5X 进入旗舰手机供应链。4F² 架构的落地标志着长鑫在 DRAM 微缩技术上进一步逼近国际前沿，从消费级 LPDDR 向高端服务器 DDR5 RDIMM 市场拓展。服务器 DDR5 RDIMM 是 AI 数据中心核心组件，市场被三星、SK 海力士、美光三巨头垄断，长鑫的进入将打破格局。
Counterpoint Q2 全球 DRAM 份额：三星 39%、SK 海力士 26%、美光 25%、长鑫 7%。长鑫科技近期调整募投项目 52 亿扩建产能，受益于 DRAM 短缺价格三年涨 12 倍。年底 DDR5 RDIMM 推出是长鑫在高端服务器内存市场的里程碑，国产存储替代进入深水区。长鑫存储在 HBM 领域也在推进，HBM3 良率约 25%，持续技术迭代。4F² 架构如果量产成功，将大幅提升长鑫的成本竞争力和产品性能，缩小与国际巨头的技术差距。
核心看点：长鑫科技官宣 4F² 架构技术突破年底推新一代 DDR5 RDIMM 国产高端存储加速替代，长鑫存储总裁曹堪宇第四届集成芯片和芯粒大会官宣 4F² DRAM 架构突破，预计年底推出融合先进技术新一代 DDR5 RDIMM，4F² 架构 DRAM 单元面积从传统 6F²/8F² 缩小 33-50%，显著提升存储密度晶圆产出，此前 G5 第五代 DRAM 平台 DUV 四重曝光 11.95nm 有源区半间距，电容深宽比 45:1 单片晶圆产出 + 50% 24GB LPDDR5X 旗舰手机，4F² 落地 DRAM 微缩技术逼近国际前沿，消费级 LPDDR 向高端服务器 DDR5 RDIMM 拓展，服务器 DDR5 RDIMM AI 数据中心核心组件三星 SK 海力士美光垄断，长鑫进入打破三巨头格局，Counterpoint Q2 DRAM 份额三星 39% SK 海力士 26% 美光 25% 长鑫 7%，长鑫科技调整募投项目 52 亿扩建 DRAM 短缺价格 3 年涨 12 倍，年底 DDR5 RDIMM 高端服务器内存里程碑国产存储替代深水区，HBM 领域推进 HBM3 良率约 25% 持续技术迭代，4F² 量产成功大幅提升成本竞争力产品性能缩小与国际巨头技术差距。
