据消息人士透露，三星电子计划将旗下3nm制程芯片应用至Galaxy系列智能手机及智能手表。其第二代3nm生产线将于今年下半年开始运作，第一款制造的产品就是Galaxy Watch7要用的应用处理器(AP)，暂名Exynos W1000，预定7月发布。
作为全球唯一能在技术上和台积电竞争的企业，三星在5nm阶段摒弃了FinFET结构，转而采用IBM开发的全环绕栅极晶体管技术，简称GAA技术，走出了与台积电不同的技术路线。目前来看，GAA改良后的MBCFET在工艺复杂度上，要比台积电FinFET更优，但是结合制造水平和良品率等方面，与台积电仍存在一定差距，这也是三星为何一直无法获得客户的重要原因。
三星作为代工厂其实已经在生成3nm工艺芯片，但并不是手机芯片，而是运用在加密货币机器上。有消息称，三星将在今年下半年量产采用第二代3nm GAA技术的移动芯片，这对于目前尚未在3nm制程中采用GAA技术的台积电来说，不是一个好消息。
