9 月 11 日，据天眼查 APP 数据，长鑫科技（688825）新获得一项发明专利授权，专利名为 “测试电路以及测试方法”，专利申请号 CN202510685675.2，授权日 2026 年 9 月 11 日。
专利摘要显示，该测试电路包括低频滤波电路，被配置为接收测试信号并进行滤波处理，涉及 DRAM 存储芯片的测试技术优化。长鑫科技是国内 DRAM 存储芯片龙头，已实现 DDR4/LPDDR4X/LPDDR5/LPDDR5X/LPDDR6 等多代产品量产，LPDDR6 全球首发量产搭载小米 18 Fold，峰值速率 12800Mbps。2026 年 Q2 长鑫科技全球 DRAM 份额达 10% 同比翻倍，上半年研发投入 55.37 亿元位居中国半导体上市公司金额第一。
存储芯片测试是 DRAM 制造流程中的关键环节，包括晶圆测试（CP）和成品测试（FT），测试成本占 DRAM 制造成本的较大比例，测试电路和方法的优化有助于提升测试效率、降低测试成本、提高产品良率。长鑫科技持续在测试技术、工艺创新、产品迭代上投入研发，专利积累反映其技术能力的持续提升。在 DRAM 领域，长鑫科技与三星、SK 海力士、美光三大国际巨头的技术差距持续缩小，1a/1b 节点持续突破，国产存储替代加速推进。
核心看点：长鑫科技获测试电路及方法发明专利授权，低频滤波电路优化 DRAM 测试技术，LPDDR6 全球首发 12800Mbps+Q2 全球份额 10% 翻倍，上半年研发投入 55.37 亿居国内半导体第一，测试是 DRAM 制造关键环节 CP+FT 成本占比高，测试优化提升效率降低成本提高良率，1a/1b 节点持续突破与国际巨头差距缩小，专利积累反映技术能力持续提升，国产 DRAM 替代加速推进，长鑫科技是存储国产替代核心标的，测试技术自主可控意义重大。
