目前在美国正在举办Flash Memory Summit，各家存储设备厂商都开始介绍自家的最新产品。其中SK海力士就宣布推出全球首款4D内存，未来可以制造容量高达64TB的U.2 SSD，采用CTF（Charge Trap Flash，电荷捕获型）架构，使存储单元面积更小、速度更快、更耐用（P/E次数多）。与传统架构相比，4D NAND的外围电路（PUC，Peri.Circuits）位于存储单元下方，可缩小芯片面积、缩短处理工时、降低成本。
从SK海力士给出的资料图中可以看到，SK海力士4D NAND初期是96层堆叠的512Gb TLC，I/O接口速度1.2Gbps（ONFi 4.1标准），预计将在今年Q4送样。SK海力士将基于4D NAND推出BGA封装（16mmx20mm）容量高达2TB的SSD，U.2 eSSD容量可达64TB，预计将在2019上半年送样。
BGA封装的可以做到1Tb（128GB），模组最大2TB，塞到2.5寸的U.2中更是可以做到64TB，2019年上半年出样。
性能方面，V5 4D芯片面积相较于V4 3D减小20%、读速提升30%、写速提升25%。另外，V5 4D也规划了QLC闪存，通过96层堆叠，单Die最小1Tb，明年下半年出样。
SK海力士表示采用BGA封装的芯片可以达到1Tb的规格，其中使用4D闪存制造的U.2接口SSD最高容量可以达到64TB。并且和3D闪存相比，全新的V5 4D闪存芯片面积减少20%，而读取速度提升了30%。
SK海力士内部的4D闪存已经推进到了128层堆叠，很快可以做到单芯片512GB，2025年做到单芯片8TB。目前，SK海力士的3D NAND是72层堆叠，单芯片最大512Gb（64GB），首款企业级产品PE4010已于今年6月份出货给微软Azure服务器。
