业界传言，长江存储即将在2020年跳过96层直接进入128层3D NAND技术，意思是明年此时，国内的3D NAND技术可以跻身于国际大厂行列。
以目前进度来看，2020年将会是100+层3D NAND技术的爆发之年，包括三星电子、SK海力士、东芝、美光等国际NAND Flash主流供应商都已经开始量产96层，并且为128层3D NAND技术热身，2020年即将为最激烈的3D NAND大战拉开序幕。
以此差距来看，若是长江存储能够在2020年成功问鼎128层3D NAND技术，与国际大厂之间的差距缩小至1~1.5代，追上主流供应商仅是一步之遥。
在这样的时空背景下，2D NAND转进3D NAND也给了国内技术自主阵营一个入局的好时机，紫光集团扶植的长江存储才得以一举成功，以自主研发的3D NAND技术打破国际垄断。
再者，过往NAND Flash的制程结构分为浮动闸极（floating gate）和电荷捕捉（charge trap）两派，彼此原理和特性都大不相同，但Floating Gate结构一直是2D NAND供应商的共识。
直到3D NAND技术时代来临之后，三星、东芝、SK海力士等主流供应商都转到charge trap技术，长江存储也是采用charge trap技术结构。
相较于Floating Gate结构，charge trap技术结构主要是看好其制造工艺更简单、存储单元间距可以更小、可靠度较高、隧道氧化层老化磨损速度也可降低。但美光、英特尔的选择则是不同，是继续将floating gate结构用于3D NAND技术中。
长江存储的64层3D NAND特殊之处在于，是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的3D NAND芯片。
长江存储指出，Xtacking可实现在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元，这样的做法有利于选择更先进的制造工艺。再者，当两片晶圆各自完工后，Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道（VIA）将两片晶圆键合，会比传统3D NAND闪存架构带来更快的I/O传输速度、高的存储密度，以及有助于缩短产品上市周期。
此刻，则是再度宣布导入Xtacking技术的64层3D NAND正式量产，长江存储并计划推出64层3D NAND的固态硬盘SSD、UFS等产品，主攻数据中、企业级服务器、个人电脑和移动设备等。
长江存储第一期的单月产能约10万片规模，随着64层3D NAND芯片量产，将开始加快投片速度，推测若是进度顺利，也将推进第二期生产基地的开工。届时，将力拼营运规模，有助于国内3D NAND芯片启动规模化量产。
长江存储成功研发64层3D NAND，标志着已成功走出了一条高端芯片设计制造的创新之路。公司表示，仍将持续投入研发资源，以通过技术和产品的迭代，使每一代产品都具备强劲的市场竞争力。
长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华表示，通过将Xtacking架构引入批量生产，能够显著提升产品性能，缩短开发周期和生产制造周期，从而推动高速大容量存储解决方案市场的快速发展。
程卫华也提到，随着5G、人工智能、超大规模数据中心的时代到临，全球对于3D NAND芯片的需求将持续增长，长江存储64层3D NAND闪存产品的量产将为全球存储器市场健康发展注入新动力。
