AI需求外溢:联电硅光子大单火爆,HBM产能争夺重塑存储格局

半导体市场的紧俏正从先进制程向更广阔的环节蔓延。11月2日消息,联电拿下全球光模块龙头中际旭创及硅光子设计公司赛丽光子集成电路的重量级订单,初期规模约1万片,单价达传统制程的七倍;与此同时,存储端HBM产能被AI客户抢占殆尽,通用内存价格几近翻番,三星预警短缺可能延续至2028年。AI对芯片产业链的重塑,正在光互连与存储两条战线同时展开。

联电婉拒三星急单,硅光子成成熟制程新蓝海

据媒体报道,联电此次获得的大单来自中际旭创和赛丽光子集成电路(PIC),初期总量约1万片,将在新加坡厂生产,后续有望追加。PIC用于光、电信号转换,是800G、1.6T乃至3.2T高速光模块的关键芯片,相关产品单价约为传统CMOS制程的七倍,有望显著增厚联电获利。

PIC涉及光波导、调制器与光电整合,制程复杂、良率门槛高,全球具备量产能力的晶圆代工厂屈指可数,此前主要由高塔半导体、格罗方德等业者提供平台。随着AI数据中心带动光通讯需求呈倍数增长,先行者的产能已被抢购一空。联电凭借成熟制程的成本与规模优势切入,7月刚完成新加坡厂首批12吋硅光子量产晶圆交付,从开发到量产仅用18个月,如今已成为AI高速光互连供应链的重要一环。

为承接订单,联电宣布扩充新加坡厂区硅光子产能,并启动南科新厂规划,PIC长期月产能目标达1.8万片。成熟制程的整体供需也在翻转:据报道,联电第四季产能利用率保持在九成以上,2027年平均售价预计年增约10%;由于产线满载,联电近期婉拒了三星追加的上万片OLED驱动IC急单——此前三星曾因市况取消订单,如今手机销售好于预期想回补产能,却发现产线已排定其他客户订单。

HBM吞噬内存产能,涨价潮传导至消费电子

代工端之外,存储端的争夺更为激烈。SK海力士与美光已公开宣布2026年HBM产能全部售罄,部分客户将锁定周期拉长至2027年甚至2028年。DigiTimes预计,下一代HBM4在2026年下半年的单价约为2美元/GB,2027年有望升至4至5美元/GB;摩根大通研报则预计,2027年全球HBM综合平均售价同比上涨54%,2028年再涨25%。

HBM天生“吃”产能:其芯片面积是同等容量普通内存的2至3倍,每生产1GB HBM,约要放弃3GB通用内存的产出。据中国经济网报道,全球约七成先进存储产能已被AI数据中心占用,三星、SK海力士、美光三大原厂将原本服务手机和电脑的产能大批转向HBM,三星单季营业利润暴增18倍。其结果是,今年上半年通用内存合约价几近翻番,闪存涨幅超过五成;存储占智能手机整机物料成本的比例,从以往的10%至15%升至30%以上。苹果将当前供需紧张形容为“百年一遇的洪灾”,联想、戴尔也相继上调产品价格。三星在业绩电话会上预警,存储供应紧张可能延续至2028年。

综合分析:AI竞争正从算力内核转向互连与存储

过去一年,业界目光集中在先进制程与GPU本身,如今需求外溢的路径已经清晰:AI芯片的瓶颈正从“造出更快的计算核心”转向“喂饱这些核心”——光互连决定GPU之间的数据搬运速度,HBM决定喂数据的带宽。联电的硅光子订单与HBM的产能挤占,本质上是同一场需求外溢的两个侧面,也印证了AI竞争已从芯片设计延伸到整个基础设施供应链。

更值得注意的是产能结构的变化。HBM依赖先进封装,良率爬坡缓慢,新建晶圆厂从动工到量产至少需要两年,产线一旦切换便难以转回消费级内存;成熟制程的特殊工艺同样需要长期积累。这意味着供给弹性大幅下降,传统“扩产—过剩—杀价”的周期逻辑被削弱,价格调节机制部分失灵。上游材料端也已闻风而动:硅晶圆迎来三年多来的首次涨价,SEMI预计全球半导体材料市场今明两年均将保持双位数成长。

影响与展望

对晶圆代工厂而言,差异化路线的价值正在凸显。联电以成熟制程切入硅光子,避开与台积电在先进逻辑制程上的正面竞争,为同类厂商提供了样本;具备特殊制程实绩与产能支撑的厂商,将在这轮调整中掌握更高议价权。

对下游而言,手机、PC厂商的成本压力短期难解,终端涨价或成常态;云厂商则需为多年的产能长约支付溢价。随着三大存储原厂2026年合计资本支出超过500亿美元,新增产能将在2027年后陆续释放,届时是史上最长的一轮繁荣,还是周期回归,将是存储行业最大的悬念。

总体来看,AI对半导体产业的改造已从单点的算力竞赛,演变为对互连、存储、材料全链条的产能争夺。谁能提前锁定关键产能、谁能在特殊工艺上建立壁垒,谁就能在这轮超级周期中占据主动。产能紧俏之下,2027年或将成为检验这轮景气成色的关键节点。

信息来源:中国经济网、半导体行业观察、电子技术应用、同花顺财经

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