三星揭露3纳米制程技术路图 首度导入闸极全环电晶体

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三星揭露3纳米制程技术路图 首度导入闸极全环电晶体
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三星周二举行晶圆代工技术论坛(Samsung Foundry Forum),同时揭露发展3纳米制程的技术路图,以及7纳米投产进度,将抢攻高端运算与联网装置市场。

三星晶圆代工部门总裁郑恩昇(E.S. Jung)表示,3纳米制程将首度导入闸极全环(GAA)电晶体,这是下一世代电晶体架构,并将配合极紫外光(EUV)微影设备,来克服物理限制。(cdrinfo.com)

三星7纳米是第一个采用EUV技术的半导体制程,按计划将在2018下半年投产。据三星表示,关键知识产权(IP)已在开发,将于2019年上半年完成。

有趣的是,三星表示7纳米将应用在网络、汽车领域,而非效能要求较高的绘图处理器(GPU),意谓着三星7纳米技术似乎未能获得Nvidia与超微青睐。

超微日前已宣布下一世代Zen 2中央处理器与Navi绘图处理器,都将交予台积电以7纳米制程代工。

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