4月20日消息，据钜亨网报道，DRAM厂商南亚科宣布，将在中国台湾新北市新建一座12英寸晶圆厂，新厂将采用双层无尘室设计，使用南亚科自主研发的10纳米制程，设计采用EUV极紫外光生产技术，规划月产能约4.5万片。今年底动工，2024年开始第一阶段1.5万片量产，总投资额达新台币3000亿元（约合人民币694亿元）。
南亚科董事长吴嘉昭表示，该晶圆厂将以7年分三阶段进行投资，计划2021年底动工，2023 年底完工开始试产，并于2024 年开始第一阶段量产，产出颗粒数将较现有产能增加。
此外，吴嘉昭强调南亚科目前也在全力发展DDR5以及LPDDR5高容量高速度的产品，希望通过先进制程上的研发能力，使台湾地区DRAM产业更健康稳固地发展。
南亚科总经理李培瑛则表示，未来可生产DDR5、LPDDR5 及16Gb 高容量等DRAM 产品，以顺应未来5G 与数字化的发展趋势。
