过去 24 小时，AI 驱动的存储超级周期持续发酵。Omdia 大幅上调 2026 年全球半导体市场增速至 94.1%，存储 IC 收入占比将超一半；SK 海力士重启大连 NAND 二厂扩产 50%，存储三巨头已售罄 2027 年全部产能，供需缺口进一步扩大。国产端，工业富联 AI 服务器业务爆发验证算力需求刚性，12 寸硅片国产替代加速扩产，复旦团队室温单电子存储取得前沿突破。资本市场方面，三星与 SK 海力士酝酿千亿美元级分红回购，韩股存储板块单日大涨超 7%。
一、企业动态
1. SK 海力士重启大连 NAND 二厂，产能扩大约 50%
据韩媒报道，SK 海力士重启中国大连 NAND 闪存生产基地 2 号工厂建设，该项目四年前因行业低迷停滞。公司计划今年年底前完成设备进驻，力争明年上半年投产，届时大连基地 NAND 产能将增加约 50%，直接回应 AI 驱动的存储需求爆发。
2. 工业富联半年报：AI 服务器驱动营收 5579 亿，净利增 96%
工业富联发布 2026 年半年报，上半年营收 5578.61 亿元同比增 54.63%，归母净利润 237.4 亿元同比增 95.99%，利润增速接近营收两倍。AI 服务器及 GPU 机柜出货规模放量是核心驱动力，公司回应了市场对 AI 代工 “增收不增利” 的担忧，但客户集中度 67%、海外敞口 75% 等风险仍存。
3. 存储三巨头售罄 2027 年全部产能，供应缺口持续扩大
业内消息称，三星、SK 海力士、美光 “内存三巨头” 已售罄 2027 年全部产能。2026 年存储供应缺口已经出现，2027 年将进入 “最严峻时期”。SK 海力士大连扩产及韩国龙仁、清州新厂计划均指向长期 AI 存储增长，但远水难解近渴。
二、技术产品
4. 三星 HBM4 良率提前达 80%”黄金线”，加速追赶 SK 海力士
三星电子 HBM4 量产良率已接近 80%，较原定年底目标提前约 4 个月达成。今年 2 月量产初期良率不足 60%，半年内大幅提升主要得益于 TC-NCF 工艺改善及底层 1c DRAM 良率提升。三星计划 Q3 将 HBM4 营收较 Q2 提升 3 倍以上，对英伟达 Vera Rubin GPU 供货提速。
5. 中国 12 寸硅片加速扩产，多家厂商数十亿级投资落地
TrendForce 报告显示，AI 算力需求持续推升 12 寸硅片需求，叠加 HBM、3D NAND 及先进逻辑节点扩产，国内大硅片厂商迎来关键窗口期。奕斯伟材料、立昂微、中环领先、TCL 中环、沪硅产业等均已加码扩产计划，月产能目标持续上修。
6. 复旦团队室温单电子存储突破，开辟 2D 芯片新路径
复旦大学团队研发出基于二维材料的室温单电子非易失性存储器器件，为存储技术提供了新研究方向。DIGITIMES 报道指出，该突破有望在 2D 芯片微缩路径上开辟全新赛道，当前传统 DRAM/NAND 微缩正面临物理极限挑战。
7. 全球 8 英寸晶圆产能今年缩减 2.4%，供需趋紧
韩媒报道，随着三星、台积电加速向 12 英寸转型，全球 8 英寸晶圆厂产能今年预计减少 2.4%。AI 服务器电源管理芯片、汽车芯片等成熟制程需求持续增长，8 英寸产能收缩叠加需求结构性增长，预计将推动成熟制程代工价格上行。
三、资本市场
8. Omdia 上调 2026 年全球半导体市场增速至 94.1%
Omdia 将 2026 年全球半导体市场营收增长预测从 81.6% 大幅上调至 94.1%，核心驱动力是 AI 需求持续碾压全球供应能力，DRAM 和 NAND 市场强劲增长。预计 2026 年存储器芯片收入将占全球半导体总营收的 50% 以上，HBM、先进封装等环节供应瓶颈将延续至 2027 年。
9. 三星与 SK 海力士酝酿超 1400 亿美元史诗级分红回购
据韩媒报道，三星电子与 SK 海力士最快将于 8 月底公布新的股东回报方案，合计规模或超 200 万亿韩元（约 1412 亿美元），有望创历史新高。AI 驱动的存储超级周期显著提升两家公司盈利和现金创造能力，为创纪录股东回报打开空间。
10. 韩股存储板块大涨，三星 SK 海力士双双涨超 7%
8 月 12 日亚洲交易时段，KOSPI 指数大涨 4.8%，三星电子和 SK 海力士均涨超 7%。三星受 AI 数据中心中高端存储强劲需求推动，SK 海力士受益于大连工厂重启扩产及长期 HBM 供应协议。CoreWeave 和超微电脑最新财报也强化了市场对 AI 基础设施支出的信心。
数据来源： Omdia、TrendForce 集邦咨询、21 世纪经济报道、财联社、证券时报、DIGITIMES、华尔街见闻、经济观察报、第一财经、CFM 闪存市场
