华虹宏力eNVM工艺再创新,加速发力人工智能芯片

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华虹宏力eNVM工艺再创新,加速发力人工智能芯片
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数字经济的大潮正滚滚而来,在互联网和大数据的推动下,人工智能(AI)迎来快速发展的契机。作为全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业,华虹集团旗下上海华虹宏力半导体制造有限公司(以下简称“华虹宏力”)以“8+12”战略创“芯”未来,依托自身核心优势,积极发力人工智能芯片和嵌入式非易失性存储器(eNVM)等技术领域,与合作伙伴共同助力中国人工智能芯片产业的发展。

近期,华虹宏力与闪亿半导体、浙江大学、北京大学在存算一体化人工智能芯片领域获重要进展。相关成果形成“基于新型忆阻器的人工突触芯片及其在语音识别中的应用”合作研究论文,已被2019 IEEE国际电子器件会议IEDM(International Electron Devices Meeting)接收,将于12月7日至12月11日在美国旧金山召开的IEDM上公开发表。IEDM是半导体领域的顶级会议,有着60多年的历史,在国际半导体技术界享有最高的学术地位和广泛影响。

基于eNVM工艺的新型忆阻器(PLRAM)

华虹宏力在eNVM领域一直保持着业界领先地位,其90纳米低功耗嵌入式闪存工艺平台,以其尺寸小、功耗低、性能高的特点,具有很强的市场竞争优势,推动了新一代应用的快速发展。基于eNVM工艺,华虹宏力提出了一种新型忆阻器(PLRAM),具备高精度存储、超低功耗操作及高可靠性等优异性能。

这款联合研发和生产的存算一体化人工智能芯片,采用了华虹宏力90纳米嵌入式闪存工艺制造以及新型PLRAM硅基忆阻器技术,从电路基本构架与制造工艺上将存储与计算完美融合在一起,大幅提升了人工智能计算芯片的能量效率。

此外,由于存算一体化芯片本身具备SoC的集成特性,可以单芯片实现最简洁的嵌入式系统,极大地降低人工智能模块的成本。该项研究成果标志着华虹宏力在人工智能芯片制造领域又迈出了坚实的一步。

所有的伟大,都源于一个勇敢的开始!
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