国内 DRAM 技术自主研发之路布局多年，在福建晋华遭美国禁运后，幸有合肥长鑫快速跟上进度，填补国内 DRAM 技术的空白。近半年，业界传出北京积极筹备全新 DRAM 项目，落脚亦庄开发区，且力邀合肥长鑫董事长朱一明亲自领军该项目。
国内的 DRAM 自主技术研发的过程中，其实颇为曲折。当年福建晋华即将量产前夕，在 2018 年 11 月被美国下达禁运令，所有设备厂与材料供应商连夜撤出工厂，DRAM 技术种子就这样被美国捻熄。
长鑫存储落脚合肥，熬三年成功量产
之后是长鑫存储的接棒。长鑫存储成立于 2016 年，落脚安徽合肥，经过三年研发，在 2019 年 9 月正式量产 DDR4 芯片，成为第一颗量产的国产 DRAM 芯。
就在众人认为合肥长鑫是国内 DRAM 项目的唯一代表作时，北京正在筹划一项重量级的 DRAM 计划，且力邀朱一明领军。
业界透露，北京对于 DRAM 技术开发项目一直很有兴趣，想借重朱一明在合肥长鑫的经验，在北京组一支 DRAM 研发团队，初期计划先租用中芯国际位于北京的厂房。
业界指出，北京这项 DRAM 项目的技术会从头研发，可能不会沿用长鑫存储目前正在量产的技术。
问芯Voice 曾经询问朱一明是否受邀到北京做 DRAM 项目？他仅表示，将听从领导安排。
各界好奇的是，未来若北京真的组成一支 DRAM 技术团队，且是由朱一明亲自领军，将与合肥长鑫的角色怎么区分？
半导体界认为，这一切可能仍是与美国禁令有关，因为存储芯片是各类应用的关键物资，无论是 DRAM 或是 3D NAND 芯片，中国都必须掌握自有技术，但是来自美国方面的监控是越看越紧，现在技术研发的每一步都要格外小心。
回想 2016 年，当时有三个阵营在做 DRAM 技术，分别是福建晋华、合肥长鑫、紫光集团。
后来，福建晋华的铩羽而归。紫光集团转向去做 3D NAND 芯片技术开发，并成立长江存储，为国内打下存储芯片的重要根基，更是目前少数可与国际间同等水平的技术进度。
坚持往 DRAM 技术领域扎根，就只有合肥长鑫了。长鑫这几年为了摆脱美国像是放大镜般地检视，不但努力做技术开发，更花了很多功夫布局专利技术。
2019 年，合肥长鑫透过加拿大公司 Quarterhill 旗下公司，买下过去欧洲 DRAM 大厂奇梦达（Qimonda）许多 DRAM 内存专利，以奇梦达当时研发成功的 Buried Wordline 技术做开发基础。
奇梦达的 DRAM 技术原本是沟槽式 Trench 技术，但逐渐遭遇瓶颈，采用堆叠式技术的 DRAM 阵营最后胜出。
但奇梦达在破产倒闭之前，已经成功研发了 46nm 的堆叠式 Buried Wordline 技术，只是没有钱投入量产。之后，部份技术专利辗转落到加拿大公司手里。
2020 年长鑫也与 Rambus 达成协议，获得 Rambus 技术授权。过去，Rambus 也陆续与三星、SK 海力士等公司签订技术授权合约。
业界认为，北京 DRAM 项目的技术不延用长鑫现有的 DRAM 技术，而是重头开始做研发，可能是为了“买保险”。
因为 DRAM 技术自主开发对中国太重要，即使是用两套研发资源，会导致研发成本提高，为了安全起见，分成两个不同体系做研发仍是比较保险的做法，因为没有人知道美国后续会采取什么行动。
如果重头研发，估计也是花个三年时间，其实也不算太久。
紫光集团也不放弃 DRAM 布局
紫光集团以长江存储在 3D NAND 技术领域扎根成功后，也没有放弃 DRAM 技术布局。
紫光在 2019 年宣布组成 DRAM 研发团队，且招揽前日本 DRAM 大厂尔必达 Elpida 社长坂本幸雄担任紫光 DRAM 项目的顾问，其实主要目的在于延揽一些有经验的日本工程师。
再者，紫光集团也宣布与重庆市签署“紫光存储晶片产业基地专案合作协议”，涵盖 DRAM 总部研发中心、DRAM 存储芯片工厂、紫光科技园等。
各方大力布局 DRAM 技术，主要也因为存储器是国内集成电路产业的短板，更是国家大力推进的重点领域。
紫光的优势，在于具有长江存储研发量产 3D NAND 芯片的基础和经验，成功打造 “从芯到云” 的完整产业链。
大基金成立，近五年芯片快速发展
自从 2014 年大基金一期成立后，国内各类芯片技术与项目用力扎根，试图弯道 “赶” 车，加速填补各类芯片空白领域。
2019 年，美国首度祭出“华为禁令”，对华为的芯片和软件供应商做出限制，让国内的半导体产业软肋是无处遁形。
2020 年更对华为下达第二道“追杀令”，也加速国内芯片自主研发的态度更明确与脚步更积极。日前更是进一步限制华为使用第三方芯片，完全是赶尽杀绝。
以三大类芯片技术（逻辑芯片、3D NAND、DRAM）来观察，长江存储用短短三年时间，实现了从 32 层、64 层再到 128 层 3D NAND 技术的跨越，128 层技术量产，更象征国内的内存技术追上国际大厂水平。
再者，加上独家的 Xtacking 技术，成为长江存储在 3D NAND 研发成果上强大的保护伞。
在逻辑芯片技术进展方面，中芯国际的技术发展上，过去是卡关在 28nm 制程，经历近年来的快速追赶，2019 年底已宣布 14nm FinFET 制程量产。
华虹半导体也是从 55/45nm 制程一路朝 28nm、14nm 制程技术追赶，过程中更与联发科合作开发，大幅缩短学习曲线，成为国内逻辑芯片技术的重要阵营。
北京也赶“芯片热”
北京想打造 DRAM 生产基地的热情，是可想而知。这一波各地盛起的 “芯片热” 百花齐放，北京自然不想缺席。
2000 年左右，上海是传统半导体制造重地，如今张江高科技园区、金桥开发区都是科技产业的重镇，更孵育出中芯国际、华虹半导体这些老牌企业。
近期 3～5 年崛起的新一波芯片热潮，有合肥、南京、武汉、广州等逐渐成为新一代的“芯片之城”。
合肥有长鑫做 DRAM、晶合集成的 LCD Drive IC/CMOS 传感器等; 南京有台积电生产 16/12nm 技术; 武汉有长江存储 3D NAND 技术，而广州则有粤芯专攻特色工艺技术。
北京虽然有互联网企业、人工智能新创公司的深度扎根，看这一波 “芯片热” 越烧越旺下，自然是不想缺席，而扎根存储器绝对是好的决定。
来源：问芯Voice，作者：连于慧
