日本科技大厂富士通（Fujitsu）于13日宣布，研发出型号为MB85RS64TU的64-Kbit FRAM。此款存储器能在摄氏零下55度中运行，为富士通电子旗下首款能耐受如此低温的FRAM非挥发性存储器，现已量产供货。
富士通指出，FRAM是一种采用铁电质薄膜作为电容器以储存资料的存储器，即便在没有电源的情况下仍可保存资料。而且FRAM结合了ROM和RAM的特性，拥有高速写入资料、低功耗和高速读/写周期的优点，富士通自1999年即开始生产FRAM，亦称为FeRAM。
值得一提的是，FRAM产品保证10万亿次的读/写周期，大约是竞争对手的非挥发性存储器EEPROM的1千万倍。因此，许多需要频繁覆写资料的工业应用，例如即时资料记录与3D位置资料记录等，都采用FRAM的产品。
富士通进一步表示，新款的FRAM支援范围极广的电源电压，从1.8伏特至3.6伏特，并支援更低的运作温度，最低可达摄氏零下55度，超越竞争对手存储器的最低运作温度。由于，能在运作温度范围内保证10万亿次读/写周期，故适合用于像在极寒地区挖掘天然气与石油的设备或机具等的工业机具上，包括测量设备、流量计、及机器人等的一般工业应用。
FRAM产品已推出业界标准的8-Pin SOP封装，使其能取代8-Pin SOP封装的EEPROM。此外，还提供拥有2.00 x 3.00 x 0.75 mm极小尺寸的8-Pin SON封装。SON的表面贴装面积仅为SOP封装的30%，而贴装体积更仅为SOP的13%，更适合应用于轻量化的现代工具设备上。
富士通表示，2017年富士通发表能在摄氏125度环境中运作的FRAM产品，扩展运行温度的高温极限。此次，再开发出的零下55度产品，进一步扩展运行温度的低温极限。
