三星、美光大动作,扩产HBM

微信扫一扫,分享到朋友圈

三星、美光大动作,扩产HBM
收藏 0

存储市场消费电子应用疲软的环境下,HBM成为发展新动能,备受大厂重视。近期,三星、美光传出将扩产HBM的消息。

大厂积极布局HBM

近期,媒体报道三星为了扩大HBM产能,已收购三星显示(Samsung Display)韩国天安厂区内部分建筑及设备,用于HBM生产。据悉,三星计划在天安厂建立一条新封装线,用于大规模生产HBM,该公司已花费105亿韩元购买上述建筑和设备等,预计追加投资7000亿-1万亿韩元。

此前,据三星电子副社长、DRAM产品与技术团队负责人黄尚俊透露,三星已开发出9.8Gbps的HBM3E,计划开始向客户提供样品。同时,三星正在开发HBM4,目标2025年供货。据悉,三星电子正开发针对高温热特性优化的非导电粘合膜(NCF)组装技与混合键合(HCB)等技术,以应用于HBM4产品。

11月6日,美光科技宣布台湾地区台中四厂正式启用。美光表示,台中四厂将整合先进探测与封装测试功能,量产HBM3E及其他产品,从而满足人工智能、数据中心、边缘计算及云端等各类应用日益增长的需求。

稍早之前,美光首席执行官Sanjay Mehrotra透露,美光计划于2024年初开始大量出货HBM3E。美光HBM3E目前正在进行英伟达认证,首批HBM3E采用8-Hi设计,提供24GB容量和超过1.2TB/s频宽。公司计划于2024年推出超大容量36GB 12-Hi HBM3E堆叠。此前美光曾透露,预计2024年新的HBM将带来「数亿」美元的收入。

2024年市场需求将大幅转往HBM3

当前HBM市场以HBM2e为主,随着原厂不断发力,未来HBM3与HBM3e将挑起大梁。

集邦咨询调查显示,当前HBM市场主流为HBM2e,包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多数CSPs自研加速芯片皆以此规格设计。同时,为顺应AI加速器芯片需求演进,各原厂计划于2024年推出新产品HBM3e,预期HBM3与HBM3e将成为明年市场主流。

以HBM不同世代需求比重而言,据TrendForce集邦咨询表示,2023年主流需求自HBM2e转往HBM3,需求比重分别预估约是50%及39%。随着使用HBM3的加速芯片陆续放量,2024年市场需求将大幅转往HBM3,而2024年将直接超越HBM2e,比重预估达60%,且受惠于其更高的平均销售单价(ASP),将带动明年HBM营收显著成长。

所有的伟大,都源于一个勇敢的开始!
上一篇

CPU混战开始!Arm高管IPO后访华,重申中国市场重要性

下一篇

安世半导体与Vishay达成NWF出售协议

你也可能喜欢

评论已经被关闭。

插入图片
微信 微信
微信
返回顶部

微信扫一扫

微信扫一扫