据韩国媒体《ETNews》报导，为了纪念 iPhone 问世 20 周年，苹果正在开发多项技术创新，其中一项核心技术是「行动高频宽存储器」（Mobile HBM）。
HBM 是一种先进的 DRAM 技术，透过「硅通孔」（TSV）将存储器芯片垂直堆栈，显著提升讯号传输速度。该技术目前广泛应用于 AI 服务器，因此也常被称为「AI 存储器」，可搭配 GPU 支援大规模 AI 运算。
所谓「移动HBM」，即为针对手机等行动装置设计的 HBM 变体，其目标是在保有高资料传输率的同时，降低功耗与存储器芯片面积。为提升装置端 AI 能力。报导指出，苹果正考虑将 Mobile HBM 与 iPhone GPU 单元整合，作为实现此目标的有力选项。
这项技术有望为iPhone 带来在地运行大型 AI 模型的能力，例如推论大型语言模型或进行高阶视觉任务，并兼顾低耗电与低延迟。
报导也提到，苹果可能已与主要存储器供应商，如三星电子与SK 海力士，洽谈合作方向。这两家公司目前都在开发各自版本的 Mobile HBM；三星采用名为 VCS（Vertical Cu-post Stack）的封装技术，而 SK 海力士则研发 VFO（Vertical wire Fan-Out）方案，两者均预计于 2026 年后量产。
不过，Mobile HBM 在制程上仍面临挑战，包括制造成本远高于现行 LPDDR 存储器，以及散热问题，尤其对像 iPhone 这类轻薄装置而言。3D 堆栈与 TSV 封装也需仰赖高度成熟的制程与良率控制。
若苹果最终于2027 年的 iPhone 采用此项技术，将成为其推动 iPhone 20 周年纪念机型创新的一大亮点；另一大亮点则是该机型据传亦将搭载四边无边框荧幕设计。
