韩国半导体业内人士透露，三星第五代12 层高频宽存储器HBM3E 产品终于通过Nvidia 品质认证测试，预计不久后开始供应高阶存储器芯片，并有望打入下一代HBM4 竞争链。
全球高效能运算市场需求快速扩增，特别是随生成式AI 模型、超级电脑、数位孪生技术（digital twin）催化，市场对HBM 这类高频宽低延迟存储器需求也上升。
其中HBM3E DRAM 是解决AI 算力瓶颈关键存储器技术，凭借超过1 TB/s 的汇流排速度，成为NVIDIA、AMD、Intel 新一代AI 芯片（如NVIDIA H200/B100/B200、AMD MI350X）必备元件，没有HBM3E ，这些芯片的算力就无法完全释放。
三星作为全球3 家主要存储器制造商之一，过去在HBM 竞争中却相对落后，SK 海力士去年9 月率先开始量产HBM3E 12 层芯片，其次为美光在今年第一季通过英伟达认证，三星虽然已向超微出货HBM3E 12 层芯片，但从去年2 月向英伟达提供首批HBM3E 12 层芯片样品后，一直未能满足英伟达严格的性能要求。
就这样拉扯长达18 个月，韩国多家媒体近日报导业内人士透露，三星终于正式通过英伟达HBM3E 12 层芯片品质认证测试，将成第三家向英伟达提供HBM3E 12 层产品的公司。
